Jensen Huang tem repetido isso várias vezes por muitos anos: A lei de Moore está morta. O cofundador e CEO da NVIDIA não é o único tecnólogo líder que defende essa visão, embora seja um dos mais veementes. Porém, também há quem afirme o contrário e assegure que a inovação em semicondutores está conseguindo superar as dificuldades para atrasar a previsão feita por Gordon Moore em 1965. Essa é a posição oficial da Intel.
O que Moore percebeu há pouco mais de cinco décadas e meia foi que o número de transistores em circuitos integrados dobraria a cada ano, enquanto seu custo relativo cairia drasticamente. Dez anos depois, ele corrigiu sua observação aumentando o período de tempo necessário para que esse desenvolvimento de tecnologia de integração ocorresse, colocando-o em 24 meses, em vez de um ano. Desde então, seu prognóstico se tornou realidade com bastante precisão.
Além do que defendem essas duas visões opostas, há algo inegável: a cada dia estamos um pouco mais perto de esgotar as capacidades que estão em nossas mãos há décadas. tecnologia de silício. E as empresas envolvidas na indústria de semicondutores sabem disso melhor do que ninguém. Felizmente, nem tudo está perdido. O futuro é esperançoso porque inovações muito promissoras estão sobre a mesa que buscam restaurar a saúde da lei de Moore.
Os semicondutores 2D vêm em socorro
A pesquisa de materiais cujas versões bidimensionais (2D) assumem as propriedades características dos semicondutores é antiga. Alguns dos elementos que têm chamado a atenção de muitos grupos que desenvolvem suas pesquisas nessa área são o arseneno, o antimoneno ou o fosforeno, mas há um problema: produzi-los é muito difícil. Felizmente, as técnicas de esfoliação estão melhorando constantemente, tornando possível obter esses e outros materiais além das paredes dos laboratórios de pesquisa.
Sang-Hoon Bae e seus colegas de pesquisa desenvolveram um conjunto de técnicas que permitem a produção de materiais 2D em escala industrial.
Justamente um grupo de pesquisadores liderados por Sang-Hoon Bae, que é professor de engenharia mecânica na Washington University em St. Louis (Estados Unidos), publicou um artigo muito interessante na Nature em que afirma ter resolvido três dos maiores desafios enfrentados poses produção em larga escala de materiais 2D candidatos para romper na indústria de semicondutores. Em linhas gerais, esses desafios são o controle preciso do ajuste fino camada por camada do material 2D, a necessidade de preservar uma uniformidade absoluta de cada camada e, finalmente, a execução meticulosa do número de camadas necessárias na produção de as bolachas.
Sang-Hoon Bae e seus colegas de pesquisa criaram um conjunto de técnicas que, de acordo com o artigo, possibilita a produção de materiais 2D em escala industrial. Isto é muito importante. De fato, se for confirmado que sua proposta pode realmente ser utilizada na produção em larga escala desse tipo de material semicondutor, a indústria de chips poderá receber o impulso que vem buscando há muitos anos. Curiosamente, a Intel é uma das empresas que mais está investindo recursos nessa área de pesquisa.
A empresa atualmente dirigida por Pat Gelsinger tem se empenhado em Ajuste de transistor 2Dbem como no refinamento do empacotamento de seus circuitos integrados e no projeto de sistemas flexíveis de interconexão do chiplets com um propósito: utilizar essas tecnologias o quanto antes na fabricação de seus próximos microprocessadores. E parece que está no caminho certo. É, pelo menos, o que nos diz a sua atual estratégia, que é extraordinariamente ambiciosa.
Intel planeja ter microprocessadores com um trilhão de transistores até 2030
No final de outubro passado, Gelsinger garantiu em entrevista ao The Wall Street Journal que a Intel planeja ter os melhores transistores e a mais avançada tecnologia de integração do mundo até 2025. Mas isso não é tudo. Também planeja ter chips com um trilhão de transistores até 2030. E isso requer, entre outras coisas, desenvolver a tecnologia de materiais semicondutores bidimensionais chamados a preencher as rachaduras que já começam a fraturar a tecnologia do silício. Até lá, ainda há muito a ser feito, mas as perspectivas são esperançosas.
Imagem de capa: Intel
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